近日韓國科學技術院（KAIST）Keon Jae Lee教授領導的研究團隊在《自然》（Nature）雜志上發(fā)表了一篇題為“應用微真空力技術進行通用選擇性轉移印刷”的文章，研究團隊展示了通過選擇性調節(jié)微真空力方法，實現巨量轉移微型無機半導體芯片。

據悉，Micro LED是下一代顯示器的光源，采用尺寸小于100 μm的無機LED芯片打造而成，與LCD、OLED和QD等傳統(tǒng)顯示器相比，Micro LED因其卓越的電/光學特性、可靠性和穩(wěn)定性而引起了廣泛關注。但由于Micro LED尺寸較小等緣故，面臨著巨量轉移等一系列生產工藝問題。

為能夠解決Micro LED芯片轉移效率問題，Keon Jae Lee教授的研究團隊開發(fā)了微真空輔助選擇性轉移印刷（μVAST）技術，通過調節(jié)微真空吸力來轉移大量的Micro LED芯片。據介紹，μVAST這項關鍵技術依靠激光誘導蝕刻（LIE）方法實現，這種蝕刻方法可在玻璃基板上以高達每秒7000個孔的制造速度形成尺寸為20微米并具有高長寬比的微孔陣列。之后LIE方法打造的鉆孔玻璃將與真空通道連接，通過控制所需孔陣列處的微真空力，以選擇性地拾取和放置Micro LED。

與傳統(tǒng)的轉移方法相比，微真空輔助轉移印刷技術實現了更高的粘附可切換性，能夠將各種不同材料、尺寸、形狀和厚度的微型半導體高效轉移組裝到任意基板上。Keon Jae Lee教授表示，微真空輔助轉移技術為大規(guī)模、選擇性集成微型高性能無機半導體提供了一種有意思的工具。

Keon Jae Lee教授還透露，目前，團隊正在研究使用噴射器系統(tǒng)（ejector system）對商用Micro LED芯片進行轉移打印，實現Micro LED大尺寸電視、柔性設備和可穿戴光療貼片等產品的制造。值得注意的是，2023年，韓國科學技術院的多個研究團隊在Micro LED領域有多個新研究成果發(fā)布。

例如，3月，韓國科學技術院物理系 Yong-Hoon Cho 教授的研究團隊開發(fā)了一項制造超高分辨率LED顯示器的核心技術，通過聚焦離子束（focused ion beams）實現了0.5微米的LED像素，小于頭發(fā)平均厚度的 1/100；同月，韓國科學技術院電氣電子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究團隊構建了一種對側壁缺陷不敏感的外延結構，以解決Micro LED器件小型化導致效率降低的問題。

文章來源：LEDinside