為助力智慧城市建設，改善室內(nèi)外光環(huán)境，有效推廣LED智慧照明應用。10月22日，中國半導體照明網(wǎng)、極智頭條、半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟指導下，在“NEPCON ASIA亞洲電子生產(chǎn)設備暨微電子工業(yè)展”同期，聯(lián)合勵展博覽集團及業(yè)內(nèi)知名機構(gòu)組織籌辦“以光匯友 智控未來——2021智能照明控制系統(tǒng)創(chuàng)新應用論壇”。

會上，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副秘書長馮亞東帶來了題為”智慧照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展之LED領跑第三代半導體“的主題報告。他表示，半導體照明助力節(jié)能減排。在國家科技計劃持續(xù)支持下，我國半導體照明從關(guān)鍵原材料、芯片、器件到裝備基本現(xiàn)實國產(chǎn)化，成為半導體照明產(chǎn)業(yè)強國，綠光、黃光LED光效居國際領先水平，是政產(chǎn)學院用緊密合作的組織管理模式和國際合作的成功典范。我國半導體照明行業(yè)年產(chǎn)值達到7000億元，實現(xiàn)年節(jié)電2800億度，減少碳排放2.2億噸。LED關(guān)鍵技術(shù)得到突破，硅襯底LED芯片及純LED照明技術(shù)開創(chuàng)了國際上第三條LED技術(shù)路線，形成了硅襯底LED全產(chǎn)業(yè)鏈，解決了該技術(shù)領域的關(guān)鍵核心問題。半導體固態(tài)紫外光源材料及器件研制取得突破進展，實現(xiàn)深紫外LED光輸出功率超過80毫瓦，科技戰(zhàn)疫發(fā)揮重要作用。

 

報告詳細分享了當前半導體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展狀況，疫情下，總產(chǎn)值小幅下降。芯片全球占有率顯著提升，封裝產(chǎn)值和利潤空間受雙向擠壓。下游應用方面，通用照明市場保持穩(wěn)定，深紫外LED殺菌消毒應用倍受關(guān)注，Mini LED顯示加速成長，農(nóng)業(yè)光照市場逐步開啟，教室照明競爭日益激烈。其中，超高清高分辨率大尺寸LED顯示器引領LED顯示進入微小像素間距時代；建立基于倒裝集成封裝配套產(chǎn)業(yè)鏈條，實現(xiàn)全部國產(chǎn)可控。國產(chǎn)GaN射頻器件在移動通信領域的批量應用，初步形成國內(nèi)氮化鎵射頻器件全產(chǎn)業(yè)鏈，確立國際市場地位。

 

半導體材料和芯片是美國對中國全面打壓的重點，我國面臨產(chǎn)業(yè)鏈安全被“卡脖子”，亟需擺脫依賴。雙碳戰(zhàn)略、萬物智能互聯(lián)成為全球共識，5G、人工智能、新能源等發(fā)展提速，市場驅(qū)動需求猛增。半導體新材料有望重塑全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭新格局，能夠形成對美國的技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)制衡。

 

第三代半導體材料物理特性優(yōu)良，適合制作高功率密度、耐高溫、抗輻照、耐高壓大功率的器件。采用三代半導體器件可實現(xiàn)系統(tǒng)體積大幅度縮小、效能成倍提升的效果，將對應用領域產(chǎn)生革命性的影響。

 

“十四五”規(guī)劃將寬禁帶半導體技術(shù)作為重要支持方向。《中共中央關(guān)于制定國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二〇三五年遠景目標的建議》中將SiC&GaN為代表的寬禁帶半導體技術(shù)列為“十四五”期間需要強化的“國家戰(zhàn)略科技力量”。第三代半導體材料和器件應用于清潔能源領域如光伏、風電等，以及提升能源使用效率領域如直流特高壓輸電、新能源汽車、軌道交通等，將對實現(xiàn)“碳達峰、碳中和”目標起到至關(guān)重要的作用。

 

“十四五” 第三代半導體材料科技發(fā)展方向，“十四五”期間LED產(chǎn)業(yè)主要任務：由小到大、由大到強。功能性照明：由大到強?？傄?guī)模穩(wěn)步增長，結(jié)構(gòu)調(diào)整，價值鏈提升，自主品牌+專利，核心競爭力和標準話語權(quán)提升。專業(yè)照明、智能照明、車用LED、健康照明提升利基市場的市場占有率。非功能性照明和創(chuàng)新應用：由小到大。提前部署，加強原始創(chuàng)新、集成創(chuàng)新，抓住Mini/Micro LED、紫外LED、紅外LED、光醫(yī)療、農(nóng)業(yè)光照等新興市場成長機會。