11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月26日上午，“超寬禁帶半導體技術” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，西安電子科技大學教授張金風，瑞士Microdiamant研發(fā)部門負責人Christian JENTGENS，鄭州大學教授、日本名古屋大學客座教授劉玉懷，西安交通大學副教授李強，北京大學劉放、中國科學技術大學趙曉龍等來自中外嘉賓聯(lián)袂帶來精彩報告。 

深紫外線檢測技術具有重要的應用，例如紫外線成像，紫外線/紅外線雙重引導，預警系統(tǒng)，紫外線通訊，紫外線干擾等。中國科學技術大學趙曉龍做了題為“ Ga₂O₃半導體器件-深紫外光電探測器”的主題報告，介紹了Ga2O3材料和DUV光電探測器、各種用于光檢測的半導體、適用于UVPD的寬帶隙Ga2O3半導體等現(xiàn)狀，大規(guī)模Ga2O3襯底的方法以及Ga2O3外延層生長的各種方法。 

不過，Ga2O3光電探測器也存在挑戰(zhàn)，比如PD陣列中的串擾、持久光電導（PPC），材料方面，由于O空位缺陷，P型Ga2O3難以實現(xiàn)，低導熱性和流動性；結構上，Ga2O3 PN結尚未實現(xiàn)；功能上單光子檢測仍然具有挑戰(zhàn)性。 

報告同時指出，Ga2O3具有超寬的帶隙，低成本，高的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性，因此被認為是最有前途的紫外線檢測材料之一。Ga2O3紫外線光電探測器在高電場，高輻照度和高溫等極端環(huán)境中具有巨大潛力；Ga2O3紫外光電探測器的研究仍處于起步階段，從材料（缺陷），器件結構和加工方法等方面存在一系列關鍵的科學技術問題。

 

 

（內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）