2019年11月25日下午，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會、深圳市科技創(chuàng)新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦。

第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，應用潛力巨大。誰掌握著技術的高地，誰就擁有更多的話語權。美國國家工程院院士、加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh K. MISHRA曾商業(yè)化功率轉換的硅基氮化鎵晶體管，此次大會上，他帶來了題為“氮化鎵功率電子的價值前景”的主題報告，展望氮化鎵功率電子的未來前景。

用于功率轉換的氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已經(jīng)商業(yè)化將近10年，同時延伸至包括垂直和側面等結構的多種器件。目前硅（Si）基GaN外延仍然是首選技術，盡管藍寶石基GaN外延技術已經(jīng)被開發(fā)出來。為了實現(xiàn)器件的常關操作，兩種基本方法已經(jīng)開始使用：一種是采用p型柵極；另一種采用Si MOSFET與常開型GaN MOSFET兩種器件進行級聯(lián)。以上兩種方法都已經(jīng)商業(yè)化，其中第二種器件級聯(lián)的方法，現(xiàn)在Transphorm已經(jīng)實現(xiàn)了超高可靠性兼具低FIT數(shù)據(jù)。除此之外，GaN襯底垂直器件技術已經(jīng)實現(xiàn)高擊穿電壓、高電流密度同時有效縮小了器件體積。目前最新的進展，集成了電源的產(chǎn)品已經(jīng)面向市場發(fā)布。

報告針對多種市場上的產(chǎn)品進行綜述，同時介紹了GaN功率電子的價值前景。從GaN材料電源適配器目前市場的滲透率到高可靠性要求的工業(yè)和汽車行業(yè)等未來新興領域，這些內容都會采用Transphorm高質量高可靠性的產(chǎn)品。

（內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）

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