中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊：2015年9月17日，科技部第三代項目管理辦公室組織技術(shù)專家和財務(wù)專家對廈門市三安光電科技有限公司承擔的863計劃“綠光激光器用高銦組分氮化鎵基外延材料生長技術(shù)”課題進行了中期現(xiàn)場檢查，該課題為新材料領(lǐng)域“第三代半導(dǎo)體材料”重點專項于2014年首批啟動課題，專項經(jīng)費460萬元。
課題實施以來，課題組在Si襯底上半極性面GaN外延、藍寶石襯底上綠光量子阱外延、高空穴濃度GaN p型層、激光器綠光諧振腔制作等方面取得了一系列的進展，主要成果包括：半極性面GaN外延層位錯密度達到106 cm-2量級，藍寶石襯底上GaN外延層XRD半高寬(002)小于240 arcsec、(102)小于280 arcsec，GaN外延單層空穴濃度達到3.4x1017 cm-3，并獲得了平整的激光器腔面。
專家組認為該課題總體進展良好，基本按照節(jié)點任務(wù)要求完成了階段性研究目標，以上成果的取得也為最終完成課題目標奠定了基礎(chǔ)。
