中國半導體照明網(wǎng)訊：發(fā)展綠光LED及其他光譜LED技術(shù)，對緩解“綠光鴻溝”問題，實現(xiàn)高品質(zhì)全光譜燈具，顯著提升照明產(chǎn)品發(fā)光品質(zhì)具有重要意義。

 

　　華南理工大學聯(lián)合中科院半導體所、杭州士蘭明芯等單位，產(chǎn)學研合作，共同開展高In組分氮化物材料制備技術(shù)研究。

中期檢查現(xiàn)場報告會
 

　　課題組在InGaN生長、AlInN三元合金混溶隙研究、半極性InGaN薄膜制備及綠光LED外延生長及數(shù)值模擬等方面取得了一系列進展，探索了反應室溫度、壓力、流量等工藝條件對InGaN薄膜的銦組分、面內(nèi)應力等參數(shù)的影響，設(shè)計了新型綠光LED結(jié)構(gòu)并數(shù)值計算了綠光LED的內(nèi)量子效率、載流子濃度分布以及自發(fā)輻射復合速率分布等參數(shù)，在此基礎(chǔ)上，生長出InGaN材料，并制備出綠光LED器件,為完成課題的任務指標奠定良好的基礎(chǔ)。