近日，深圳大道半導(dǎo)體有限公司與佛山市國(guó)星半導(dǎo)體有限公司合作開發(fā)成功了新一代自帶導(dǎo)熱焊墊的大倒裝芯片級(jí)封裝（CSP）光源。

據(jù)介紹，制造傳統(tǒng)大功率LED光源的主要技術(shù)包括采用共晶焊接技術(shù)，把含金錫焊墊的大功率倒裝芯片共晶焊接到用DPC工藝制造的氮化鋁陶瓷基板上，在倒裝芯片四周設(shè)置圍壩和在倒裝芯片表面涂敷熒光層（包括噴涂、壓膜等工藝技術(shù)）后，再通過真空回流技術(shù)把導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁陶瓷基板焊接到熱電分離銅板上。

由于金錫焊墊和氮化鋁陶瓷基板成本高，共晶焊接工藝要求苛刻，導(dǎo)致采用傳統(tǒng)大功率LED芯片和封裝結(jié)構(gòu)制造的大功率LED光源價(jià)格昂貴，只能應(yīng)用于高端方向性投射類照明燈具上。
該光源在結(jié)構(gòu)與制造工藝上主要?jiǎng)?chuàng)新包括：

1. 自帶導(dǎo)熱焊墊的大功率倒裝芯片結(jié)構(gòu)，具體細(xì)節(jié)發(fā)表在大道半導(dǎo)體名下的三項(xiàng)授權(quán)發(fā)明專利（201310047522.2，201310093759.4和201310307147.0）中，內(nèi)容涵蓋倒裝芯片的深刻蝕側(cè)壁保護(hù)、側(cè)壁反射層、自帶導(dǎo)熱焊墊和倒裝芯片內(nèi)三維布線結(jié)構(gòu)等；

2. 不再使用價(jià)格昂貴的氮化鋁基板，單片光源厚度減少約0.4mm，應(yīng)用于汽車前大燈時(shí)，可提升聚光性能，并減少暗區(qū)面積；

3. 省略了焊接工藝要求苛刻的共晶焊技術(shù)；

4. 大功率倒裝芯片不再使用價(jià)格昂貴的金錫焊墊；

5. 采用CSP封裝技術(shù)和結(jié)構(gòu)，具體細(xì)節(jié)發(fā)表在大道半導(dǎo)體名下的二項(xiàng)實(shí)用新型發(fā)明專利（202020612786.3和2025204230491）以及25項(xiàng)外觀專利中，內(nèi)容涵蓋大倒裝CSP光源和帶銅板的大倒裝CSP光源組成和結(jié)構(gòu)，以及自帶導(dǎo)熱焊墊的大倒裝芯片外觀和大倒裝CSP光源外觀等；

6. 新一代大功率CSP光源直接真空回流焊接到熱電分離的銅線路板上。

新一代大倒裝CSP光源的整個(gè)制造工藝流程簡(jiǎn)單，可靠，無需使用材料成本中最昂貴的金錫焊墊和氮化鋁基板，涉及的工序與設(shè)備大幅減少，也避免了工藝要求苛刻的共晶焊接，在不損失LED主要光電性能的基礎(chǔ)上，可以降低制造成本，為高端方向性投射類照明燈具提供了光源選擇。

此外，該產(chǎn)品應(yīng)用高壓倒裝芯片技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)6伏、9伏或更高電壓運(yùn)行，無需通過芯片集成實(shí)現(xiàn)高電壓驅(qū)動(dòng)。其結(jié)構(gòu)消除了芯片拼接間隙，提高光集中度，避免暗紋，發(fā)光面積更小，從而提升中心照度與投射距離，為大功率LED在車燈及高端照明等方向性投射場(chǎng)景中的應(yīng)用提供了可能性。

來源：大道半導(dǎo)體