氮化鋁鎵（AlGaN）材料在深紫外光電子學(xué)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力，尤其是在深紫外發(fā)光材料與器件方面。隨著深紫外光電子學(xué)應(yīng)用的不斷擴展，AlGaN技術(shù)有望在各種領(lǐng)域取得更大的突破。

9月12日-14日，以“構(gòu)建紫外新興業(yè)態(tài)、促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化”為主題的“第三屆紫外LED國際會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)大會”在山西長治盛大開幕。會議由長治市人民政府、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA ）主辦，長治市發(fā)展和改革委員會、長治國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管委會承辦。

開幕大會上，北京大學(xué)教授沈波帶來了“AlGaN基深紫外發(fā)光材料與器件”的主題報告。氮化物半導(dǎo)體具有禁帶變化范圍寬、二維電子氣密度高等一系列優(yōu)異性質(zhì)，是繼Si和GaAs之后最重要的半導(dǎo)體材料，全球高技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一，我國政府高度重視，在若干國家科技和產(chǎn)業(yè)計劃中，均把其列為重點支持方向。AlN和高Al組分AlGaN是制備DUV-LED不可替代的第三代半導(dǎo)體，無汞污染、電壓低、體積小、效率高、壽命長、利于集成。AlGaN基UV-LED面臨著材料外延等一些關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題。報告詳細(xì)分享了高質(zhì)量AlN及其量子阱的外延生長、AlGaN的高效p型摻雜和器件研制的研究進(jìn)展與成果。

報告指出，由于異質(zhì)外延和體系內(nèi)部大失配、強極化的特性，AlN、高Al組分AlGaN及其量子結(jié)構(gòu)的外延生長和DUV-LED研制依然面臨一系列關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)問題；研究發(fā)明數(shù)種藍(lán)寶石襯底上AlN外延方法，NPSS襯底上AlN外延層XRD搖擺曲線半高寬達(dá)132 (002) /140(102) arcsec；NPAT襯底上AlN外延層位錯腐蝕坑密度達(dá)~104cm-2，相比于NPSS低2個數(shù)量級；在AlN/藍(lán)寶石模板上外延生長出高質(zhì)量AlGaN基多量子阱，發(fā)光波長277~278 nm，IQE達(dá)83.1%；發(fā)明“脫附控制超薄層外延”方法，制備出短周期超晶格結(jié)構(gòu)p-AlGaN層， 空穴濃度達(dá)8.1×1018cm-3；在上述工作基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了發(fā)光波長:  277~278 nm，光輸出功率36.9 mW@100 mA的深紫外LED器件。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>