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半導(dǎo)體所新型顯示團(tuán)隊(duì)在微器件巨量組裝和集成領(lǐng)域重要研究進(jìn)展

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-06-17 瀏覽次數(shù):242

半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊:近年來,微型組件大面積、可編程地組裝到任意基板上在先進(jìn)電子領(lǐng)域被廣泛探索和研究,然而微組裝技術(shù)仍處于發(fā)展的初級階段,仍有生產(chǎn)成本高、精度低、可控性差等問題,導(dǎo)致很多實(shí)際應(yīng)用無法商業(yè)化。半導(dǎo)體所新型顯示團(tuán)隊(duì)針對微器件巨量組裝與集成方面的挑戰(zhàn)開展了系列創(chuàng)新性研究,開發(fā)了一種通過光刺激調(diào)控光敏聚合物的表面形貌和界面粘附力,從而實(shí)現(xiàn)大面積、高保真且可編程的微器件巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),相關(guān)研究成果發(fā)表在自然合作期刊《npj Flexible Electronics》(工程技術(shù)一區(qū)top,影響因子12.7)。

微器件巨量組裝的一個典型應(yīng)用實(shí)例是微型發(fā)光二極管(Micro-LED)顯示,Micro-LED由于在功耗、亮度、響應(yīng)速度等方面具有傳統(tǒng)液晶技術(shù)和OLED無法比擬的優(yōu)勢,已受到顯示行業(yè)的廣泛關(guān)注。然而,盡管Micro-LED顯示器具有許多優(yōu)點(diǎn)和潛在應(yīng)用,但數(shù)以百萬計(jì)的Micro-LED芯片尺寸小至幾微米,使用傳統(tǒng)的機(jī)械抓手和真空噴嘴的抓取和放置技術(shù)來操控微器件變得越來越困難。因此,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界亟待開發(fā)高速、低成本、大面積的微組裝技術(shù)。

為了應(yīng)對上述挑戰(zhàn),近日半導(dǎo)體所新型顯示團(tuán)隊(duì)提出了基于光刺激調(diào)控光敏聚合物的表面形貌和界面粘附力,從而實(shí)現(xiàn)微器件巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)方案(圖1)。團(tuán)隊(duì)采用外部光照誘導(dǎo)聚合物生長,使光敏物質(zhì)產(chǎn)生局部區(qū)域的凹陷和凸起,產(chǎn)生的高度差可實(shí)現(xiàn)將待轉(zhuǎn)移芯片和非轉(zhuǎn)移芯片選擇性編程轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板。同時(shí),光刺激導(dǎo)致聚合物使芯片從強(qiáng)附著狀態(tài)快速切換到弱附著狀態(tài),實(shí)現(xiàn)芯片從聚合物中快速釋放。這兩種效應(yīng)的相互作用使得超小型元件可大面積、可編程的組裝到各種粘附性基板上。研究團(tuán)隊(duì)通過組裝ITO、GaN、鈣鈦礦量子點(diǎn)和Au薄膜等不同材料和功能器件驗(yàn)證該技術(shù)方案的可行性,結(jié)果表明該技術(shù)能將不同材料和功能器件大面積、高保真且可編程的轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板。

隨后,研究團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高密度Micro-LED的快速、可編程轉(zhuǎn)移,并制備了平面及柔性Micro-LED顯示原型器件(圖2),進(jìn)一步證明了該技術(shù)的通用性、以及曲面轉(zhuǎn)移和集成的潛力。與之前報(bào)道的方法相比,這項(xiàng)技術(shù)滿足了大面積(4英寸)、低成本、可編程轉(zhuǎn)移超薄和精細(xì)的組件(特征尺寸到10μm,厚度到250 nm)的需求。該技術(shù)將在探索下一代高性能電子產(chǎn)品,如高分辨率顯示器、生物集成健康監(jiān)測電子產(chǎn)品和曲面電子產(chǎn)品方面具有巨大的應(yīng)用潛力。

該研究工作得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中國博士后科學(xué)基金、省科學(xué)院實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展能力建設(shè)專項(xiàng)資金等項(xiàng)目資助。省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所郭嬋博士為論文第一作者,學(xué)術(shù)帶頭人龔政博士為通訊作者。  

 

圖1:光響應(yīng)轉(zhuǎn)移技術(shù)基本原理(左)及實(shí)例效果(右)

 

 

圖2:Micro-LED轉(zhuǎn)移和顯示集成效果樣例

論文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41528-022-00180-w

(來源:廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所)
 
 
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