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國星光電:取得9項發(fā)明專利證書 涉及Mini/Micro LED與第三代半導體技術領域

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-04-27 來源:中國半導體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):270
 4月27日,佛山市國星光電股份有限公司發(fā)布公告稱,公司于近日收到國家知識產(chǎn)權局頒發(fā)的9項發(fā)明專利證書,其中6項涉及Mini/Micro LED技術領域?qū)@?項涉及第三代半導體技術領域?qū)@?/span>



 
涉及Mini/Micro LED 技術領域的6項專利中,“一種量子點發(fā)光器件及其制造方法”的發(fā)明專利是公司繼成功開發(fā)出高一致性像素化量子點色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術、及攜手華南理工大學成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點LED器件2項技術突破后,在Mini/Micro LED領域量子點技術攻關中取得的又一科研成果。 
 
本次取得的6項專利的相關技術方案可以提高超高清顯示產(chǎn)品的集成度,優(yōu)化及 簡化線路結(jié)構設計,提升制程及封裝良率,形成成熟的封裝技術路線,確保顯示 效果的一致性,提升用戶的觀看體驗。 
 
涉及第三代半導體領域的3項發(fā)明專利,相關專利技術可提升產(chǎn)品散熱效率,延長器件的使用壽命,更好地保障器件穩(wěn)定性,同時兼具良好的絕緣性能及抗壓能力,產(chǎn)品可根據(jù)實際需求進行多樣化設計,靈活性非常強。公司積極拓寬第三代半導體業(yè)務新賽道,致力于打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測業(yè)務,目前在上游芯片領域布局有硅基氮化鎵的外延芯片技術儲備,中游封裝領域已建成第 三代半導體功率器件實驗室及試產(chǎn)線。
 
公告指出,本次獲取的專利體現(xiàn)了公司正持續(xù)推進第三代半導體的研究開發(fā)和技術成果轉(zhuǎn)化,為公司打造具備高可靠性、高品質(zhì)優(yōu)勢的“第三代半導體功率器件封測企業(yè)”奠定堅實技術基礎。上述專利的取得彰顯了公司在相關領域核心技術方面取得重要進展,相關專利的獲得雖不會對公司近期生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響,但對公司的工藝改進、產(chǎn)品創(chuàng)新、市場及品牌影響力提升等方面有積極的影響,有助于增強公司的核心競爭力。
 
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