11月23-25日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

25日下午，由中電化合物半導(dǎo)體有限公司協(xié)辦的“微波射頻與5G移動通信”技術(shù)分會如期召開。分會期間，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究員黃偉，中興通訊高級技術(shù)預(yù)研工程師蔡小龍，中電化合物半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)唐軍，荷蘭Ampleon Netherlands高級經(jīng)理陳松，華為技術(shù)有限公司部長戈黎明，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院副教授汪青，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院李楊等來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表帶來了精彩報告，分享前沿研究成果。河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持了本屆分會。

 

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究員黃偉分享了面向5G/衛(wèi)星通信應(yīng)用的化合物半導(dǎo)體射頻芯片技術(shù)研究進(jìn)展，其中，報告指出，基于行業(yè)發(fā)展需要，毫米波通信面向更高速度、更廣覆蓋、更低延時的無線接入應(yīng)用。毫米波通信技術(shù)已被確立為5G 關(guān)鍵技術(shù)之一?；诓ㄊ膽?yīng)用，高通量衛(wèi)星通信星座系統(tǒng)/5G通信的毫米波接駁與融合。

 

中電化合物半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)唐軍分享了SiC基GaN射頻材料熱阻的研究進(jìn)展。其中，報告指出，AlGaN/GaN HEMT器件的有效熱管理是器件可靠性和性能最關(guān)鍵的因素之一；對于SiC基GaN 射頻器件，從有源區(qū)有效提取出熱量是熱管理的關(guān)鍵；對于SiC基GaN 器件熱阻，除了考慮GaN、SiC材料熱阻，還需要考慮不同材料的界面熱阻。

 

荷蘭Ampleon Netherlands高級經(jīng)理陳松帶來了“研發(fā)轉(zhuǎn)量產(chǎn)：射頻功率器件量產(chǎn)階段零失效目標(biāo)下的挑戰(zhàn)和實(shí)踐”的主題報告，結(jié)合具體實(shí)例，報告指出，缺陷、篩選、產(chǎn)量……是制造階段實(shí)現(xiàn)零缺陷最重要的挑戰(zhàn)性項(xiàng)目。建立精確的外部可靠性模型是設(shè)置合適篩選條件的關(guān)鍵。通過PDCA循環(huán)推動產(chǎn)量提高至關(guān)重要。

華為技術(shù)有限公司部長戈黎明分享了“射頻氮化鎵現(xiàn)狀和未來展望”主題報告。

 

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院副教授汪青分享了Si基GaN射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展，報告指出，采用高頻活化法沉積的PECVD-SiNx可以避免離子轟擊，獲得良好的鈍化效果。應(yīng)力襯層可以抑制肖特基柵F-N隧穿，減少柵漏。InAlN/GaN-HEMT優(yōu)良的飽和電流和跨導(dǎo)特性顯示出它在更好的射頻放大器應(yīng)用中的潛力。

 

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院李楊帶來了“用于無線充電和功率傳輸?shù)幕贕aN肖特基勢壘二極管的微波整流器”的報告，提出了一種中功率容量、寬功率帶寬的指型GaN-SBD微波整流器。在不犧牲其它指標(biāo)的前提下，實(shí)現(xiàn)了SBD準(zhǔn)恒定結(jié)電容和低串聯(lián)電阻的特性。與目前最先進(jìn)的硅和砷化鎵整流器相比，基于新型GaN-SBD的微波整流器即使不使用任何類型的帶寬擴(kuò)展電路，也能提供最寬的高效率輸入功率范圍（效率≥70%和75%）。最好的應(yīng)用場景是無線充電或驅(qū)動高功耗5G物聯(lián)網(wǎng)傳感器（或嵌入式傳感器）。

 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）