11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開。
11月26日下午，“襯底、外延及生長(zhǎng)裝備” 分會(huì)如期召開。本屆分會(huì)由中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。本屆分會(huì)涵蓋碳化硅和GaN生長(zhǎng)材料、襯底、同（異）質(zhì)外延薄膜、測(cè)試表征和相關(guān)的設(shè)備，對(duì)SiC和GaN從機(jī)理到工業(yè)化進(jìn)程進(jìn)行系統(tǒng)的探討。
日本國(guó)立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長(zhǎng)、東京工業(yè)大學(xué)兼職教授坂田修身，美國(guó)亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS，德國(guó)ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國(guó)Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學(xué)副教授林偉，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何亞偉等來自中外的強(qiáng)勢(shì)力量聯(lián)袂帶來精彩報(bào)告。
會(huì)上，鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS做了題為“藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。研究設(shè)計(jì)了由BxGa1-xN組成的邊緣發(fā)射激光二極管EELD，并假設(shè)其在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)。將硼組合物調(diào)整到不同的值，以在UV−C波段深處發(fā)射，并且由于在許多尚未商業(yè)化的應(yīng)用中非常重要，因此將其計(jì)算為270 nm。阻止實(shí)現(xiàn)這種二極管類型的制造的最大問題之一是差的P型導(dǎo)電性。研究根據(jù)假設(shè)對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)不規(guī)則的位移可能是由于N / P電極下方區(qū)域的尺寸/體積的變化而導(dǎo)致Mg和Si摻雜濃度的變化。研究同時(shí)還分析了N和P電極區(qū)域的V-I和L-I曲線。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
