11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。會上，日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業(yè)大學(xué)兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學(xué)副教授林偉，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波，山東大學(xué)教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現(xiàn)剛共同主持了本次分會。
俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV做了題為“碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長模擬”的主題報告。Andrei SMIRNOV博士是俄羅斯STR Group Inc.的資深研發(fā)工程師兼產(chǎn)品線經(jīng)理。他是大塊晶體生長模型、新型晶體生長系統(tǒng)的計算機(jī)模型開發(fā)、計算機(jī)模型的實驗驗證、以及建模和優(yōu)化各種晶體生長技術(shù)的項目合作管理方面的專家。
報告中，Andrei SMIRNOV博士分享了通過VR 物理蒸汽傳輸（PVT）模擬軟件的應(yīng)用案例展現(xiàn)最新的物理蒸汽傳輸（PVT）制備碳化硅晶體建模。該模擬同樣適用于碳化硅和氮化鎵的生長分析，他同時展示了最新的VR CVD 碳化硅模擬軟件。同時，討論了生長的條件、生長速率和摻雜均勻度。
并分析4H碳化硅SBD器件的結(jié)構(gòu)，重點集中在襯底厚度、溫度、生長速率、晶格失配等問題。講解了氮化鎵MOCVD生長中的一些重要問題的解決方法，比如摻雜的不均勻度、晶圓尺寸變化、反應(yīng)物的利用等。特別關(guān)注GaN/AlGaN層的本證摻雜和碳摻雜的生長條件的影響。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
