2018年10月23-25日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦的第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。
10月24日下午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會(huì)如期舉行，分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
美國Crystal IS.聯(lián)合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，華中科技大學(xué)教授陳長清，北京大學(xué)副教授許福軍，三重大學(xué)助理教授永松謙太郎，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學(xué)教授黃凱，中南大學(xué)教授汪煉成，南京大學(xué)蘇琳琳等中外同行專家?guī)砭蕡?bào)告，并分享各自的最新研究成果。廈門大學(xué)教授康俊勇，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會(huì)。
隨著應(yīng)用的逐漸擴(kuò)大，近年來，使用同樣III族氮化物半導(dǎo)體制備的UVC-LED作為汞燈的替代，備受關(guān)注，三重大學(xué)助理教授永松謙太郎帶來了UVC-LED中應(yīng)力松弛層對濺射沉積高溫退火AlN /藍(lán)寶石影響的研究，分享了一種方法將濺射沉積的高溫退火(Sp-HTA) AlN/藍(lán)寶石作為UVC-LED的襯底，以在大規(guī)模量產(chǎn)中降低成本。利用Sp-HTA可獲得高結(jié)晶質(zhì)量和光滑表面的AlN層。利用應(yīng)力松弛層制備了基于Sp-HTA AlN/藍(lán)寶石的UVC-LED，并與常規(guī)MOVPE-AlN模板進(jìn)行了比較。結(jié)果表明，比傳統(tǒng)的MOVPE-AlN相比，LED光輸出強(qiáng)度提高了1.5倍。他同時(shí)分享探討了基于Sp-HTA AlN/藍(lán)寶石的UVC-LED的應(yīng)力松弛層的細(xì)節(jié)特征。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
