2018年10月23-25日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。本屆論壇。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導體的前沿發(fā)展和技術(shù)應用，設置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應用”分會召開。分會主題涵蓋寬禁帶半導體電力電子器件封裝設計、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評價等方面，邀請國內(nèi)外知名與家參加本次會議，充分展示寬禁帶半導體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評價的最新進展。
法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY，天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權(quán)，西安交通大學教授王來利，重慶大學教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室副主任、研究員黃潤華，中國科學院電工研究所研究員寧圃奇，香港應用科技研究院有限公司電子元件部高級經(jīng)理李天河等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權(quán)主持了本屆分會。
碳化硅寬帶隙半導體材料和功率器件技術(shù)的進步使節(jié)能的功率開關(guān)成為可能，其性能指標比傳統(tǒng)的硅功率開關(guān)具有更低的通電阻、更高的阻塞電壓、更低的開關(guān)損耗和更高的工作結(jié)溫。然而，這些寬帶隙器件的封裝正成為它們廣泛應用的瓶頸。傳統(tǒng)的硅功率模塊封裝在絕緣金屬基板上，由于高寄生電感、低熱提取能力、低附著和基板可靠性以及低溫互連和封裝材料，限制了高性能SiC器件的潛力。
天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權(quán)分享了電動汽車用平面型雙面水冷碳化硅模塊的封裝關(guān)鍵技術(shù)。介紹了研究團隊開發(fā)的一種封裝解決方案，用于制造低調(diào)的、雙面冷卻的SiC電源模塊，以使電動汽車的功率密度轉(zhuǎn)換大大提高。其封裝解決方案有三個關(guān)鍵的創(chuàng)新:(1)無線粘結(jié)，低寄生電感器件互連，碳化硅器件兩側(cè)有散熱能力;(2)燒結(jié)銀結(jié)合，提高熱電性能和熱機械可靠性;(3)高導熱系數(shù)、高可靠性的氮化硅直接粘結(jié)銅基板。同時他還介紹了一種60kw逆變器的模塊設計、材料選擇、模塊組裝過程以及模塊的測試結(jié)果。
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