2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　  11月2日下午，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會如期舉行。分會重點關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　   日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA、廣西大學(xué)杰出教授、臺灣大學(xué)榮退教授馮哲川， 西安交通大學(xué)教授王宏興，中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學(xué)教授陶緒堂，鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學(xué)院院士劉明與廈門大學(xué)校長、南京大學(xué)教授張榮共同主持了本屆分會。

 

　　會上， 日本Novel Crystal Technology公司總裁帶來了關(guān)于Akito KURAMATA用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的精彩報告。Novel Crystal Technology公司主要對氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)行商業(yè)化，并且進(jìn)行襯底層以及外延晶圓等方面的研發(fā)工作。Akito KURAMATA分享了目前氧化鎵在電力器件領(lǐng)域發(fā)展中的現(xiàn)狀、晶體生長以及氣相外延生長方式的研究進(jìn)展及研究成果。其中，對比了幾種氧化鎵晶體生長方式之后，Akito KURAMATA重點介紹了EFG的生長方式。